本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 结束语我的中国芯继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 CES 2015焦点: 智能数码相框CEIVA 研讨会:Microchip 最新SAM 以及 PIC32单片机软件开发平台 - MPLAB® Harmony V3介绍 数字图像处理(MATLAB)山东大学(江铭炎) 2016 TI 电池管理及Type C研讨会 (下) EEWORLD DIY 增加点电子功能的桌面收纳盒(成果展示) 2015 TI MCU研讨会(3) C2000 手把手教你玩Arduino Robot(机器人) THS6222 宽带 PLC 线路驱动器概述 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 电子节能灯的十大经验定律 电子节能灯的十大经验定律能灯电子镇流器的设计是照明行业设计的一大难点。很多厂家生产的产品由于质量不过关,给用户造成“节能不节钱”的现象,严重地影响了节能灯的声誉。这其中很大的部分问题是镇流器的质量不过关,镇流器的质量首先是和电路的设计有关,下面就介绍一些笔者的成功设计经验,供大家参考。节能灯镇流器的原理并不难,难就难在它工作在高温和高密度元件排列的状况下,对元器件之间的搭配要求很高,搭配稍微有点偏差,就会直接导致整批产品质量不过关,目前尚未见到有关的节能灯设计的专著出版。本人在日常 czf0408 开源硬件徽章开发板 带有开源硬件徽章的开发板。FOSDEM,2020年https://www.olimex.com/Products/Solderi...e-hardware开源硬件徽章开发板2011,theOpenhardwaresummitbadgebyEvilMadScientist&wiki.这个不错~ 大家一起设计并DIY一个吧PCB美学是经常被开发人员忽略的PCB设计师利用对称的美学原则将PCB设计成为具备功能性 dcexpert 逻辑-缓冲器 看到在MCU和电机驱动芯片间常会用一些逻辑-缓冲器,这些缓冲器起什么作用呢?逻辑-缓冲器『这些缓冲器起什么作用呢?』通常是增加输出电流,某些也可以增加输出电压。 是否会起到隔离的作用呢? 那要看你对隔离如何定义。通常,隔离指两部分没有任何电的联系。如果是这样定义,所谓缓冲器并没有隔离作用。 碧霄长博 arm平台上程序动态加载 本人最近折腾了一个东西,可以实现在arm平台上程序动态加载,目前弄出了demo,不知道这个意义大不?arm平台上程序动态加载哈哈有意义啊将资料发上来阿回复:arm平台上程序动态加载是在arm7上实现的回复:arm平台上程序动态加载将应用程序app独立编译成bin,拷贝到sd卡上加载回复:arm平台上程序动态加载楼主能联系我吗?对楼主的东西十分感兴趣,可以高价购买。msn:lhj001@hotmail.com怎么不回复我呢,我对封闭OS的ARM上的动态加载十分感兴趣,而 呱呱 关于CC2510收发数据时的频率变换的时间问题 我在用CC2510做无线收发,使用TDMA。发送端每隔1ms改变一次频率发送数据,接收端一直接收数据。在实验过程中当我把频率变换时间(即发送端每隔一段时间改变一次频率然后发送数据的时间)更改为1ms时接收端就接收不到数据,改为2ms时才可以收发数据,为什么会要2ms这么长的时间。我的程序放在附件中,请高手帮忙看下。关于CC2510收发数据时的频率变换的时间问题看看datasheet中收发切换时间是多少?我并没有涉及到收发切换,接收端一直是接收状态,发送端一直是发送啊。 ttlcoms 《Cmake构建实战》第七章之实战演练 #《Cmake构建实战》第七章之实战演练今天为大家分享一下《Cmake构建实战》第七章的学习内容。读了两遍第七章,我感觉内容略多,所以我的分享就以我的实现项目开发的使用视角来分享第七章这些属性与功能应用。本次示例以计算一串字符串的CRC16为示例做讲解。##应用场景1:生成可执行文件这是我们最简单的应用场景了。也是我们最常用的场景之一。我们首先tree一下我们的示例项目文件结构:通过上面的图片我们可以看到在app文件夹里面存放着应用层的.c/.h文件,主要包含main.c和ma lemonboard 网友正在看 Kinematics and Inverse Kinematics 线路码型(上) orcad中单个器件的PCB封装应该怎么处理呢? 树莓派的外部接口引脚的使用 上 总线技术(1) Atmel软件框架(ASF)入门(上) 机器人概念及发展历程 DEDICATED ELECTRICAL SPACE - 110.26(E)(1)(a)