本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 多晶硅薄膜继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 直播回放:Littelfuse 碳化硅(SiC) MOSFET和肖特基二极管产品介绍及相关应用 新一代计算机会自己编程 直播回放: Keysight 高速总线PCIe5.0技术发展与测试分享 直播回放: TI 通过集成隔离数据和电源 IC 降低辐射 电子材料(电子科技大学) 周公系列讲座——PID基本原理 世纪人机围棋大战?谷歌AlphaGO详解 随机信号分析的工程应用 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 国产芯榜:网友推荐矽力杰SY8303,40V耐压、开关频率可调,你会支持它上榜吗? 新一周,又收到了网友们的热心推荐,首先给大家分享的是矽力杰SY8303。推荐产品型号:SY8303推荐理由:SOT23-8小封装,40V高耐压,最高输出3A大电流,开关频率可调,性能优秀价格便宜所属分类:DC/DC所属厂商:矽力杰有用过的网友欢迎跟帖讨论,上方的推荐,与下面在榜单的产品比,你会更支持哪个呢?最能打国产芯榜DC/DC在榜产品1、芯朋微AP2203系列,开关型DC/DC升压稳压芯片上榜理由:芯朋微AP2203系列使用简单,效率高,可靠 nmg 分享MSP430中断嵌套使用经验 不能用51单片机的中断机制来套用MSP430的中断模式。当MSP430有多个中断请求发生时,响应最高优先级(优先级共有16级)的中断。响应中断时,MSP430会将不可屏蔽中断控制位SR.GIE复位,即关闭全局中断。因此,一旦MSP430响应了中断,即使有更高优先级的可屏蔽中断出现,也不会中断当前正在响应的中断而去响应较高优先级的中断。但SR.GIE复位不影响不可屏蔽中断,所以仍可接收不可屏蔽中断的中断请求。至于如何实现像51单片机一样的中断嵌套,可以考虑下面的几点:(1)430默认的 Jacktang 线性汇编数组问题 最近刚开始接触,有个问题想请教一下各位大大们我如何在线性汇编中调用C语言中已经定义的数组例如:intA={0,1,2};B={{0,1,2},{0,1,2},{0,1,2}}如果在线性汇编中如何定义数组并赋值(一维、二维、三维),如何调用数组针对结构体如何写成线性汇编?有没有针对线性汇编程序设计的书,现在基本都是从C6000系列的教材去看介绍的不是很全面,求指导请给个简单示例再次谢谢各位大大们我这样写哪里有问题?编译通过但是结果不正确。。。。。。。。。。。。#includ r0500s2005 有没有精通TI达芬奇系列DSP芯片的工程师 目前有个项目,需要请一位工程师(业余兼职即可)。1、熟悉TI达芬奇系列DSP芯片,有DM64xx上开发,优化经验。2、熟悉H264协议或者MPEG4协议,最好在DM64XX上做过相关协议的开发或者优化工作。详细可以QQ455247859联系。有没有精通TI达芬奇系列DSP芯片的工程师没弄过,帮顶下吧。DSP端的没写过,ARM端的倒有经验,符合要求么?呵呵tidm365的行不?现在在实验室的项目有DSPDM6446上做开发经验谈不上略懂一二招实习生不 jck8222 对系统函数的封装的好处? 一个kernel提供的systemcall,当一个task需要调用到这些systemcall时,需要先自己定制一些函数将kernel提供的systemcall封装起来,这样有什么好处么?能说说相关资料就更好了,谢谢对系统函数的封装的好处?保证安全楼上的,你能说详细点么?谢谢 huanggongsui 有关数字和模拟信号比较 数字信号和模拟信号的效率那个比较好啊,主要是指速度,问一下,是不是没有什么可比较的?能不能说明一下啊,求高手指点有关数字和模拟信号比较效率,没有可比性。比如同样的模拟信号,不同的解码率会有不同的信息量。不知道你相比什么? daochang 网友正在看 类型修饰符(二)_static_const 组合电路的HDL设计与实现(基础实验1) 电力电子基础 【3.9】示波器总线测试讲解之汽车电子 车用液晶仪表显示控制器 深度卷积神经网络 AlexNet 下一代磁感应解决方案:XtremeSense™ TMR 技术如何促进高效应用 信号与系统22