本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 多晶硅薄膜继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 WEBENCH LED Architect软件导览 使用mTouch™ Framework自由开发触摸产品(一) 泰克MSO5示波器拆机视频 优化变压器设计来改进反激式变换器的效率和EMI性能 直播回放: Keysight 湾区圆桌派-穿越频谱壁垒:毫米波技术的创新之路 Altera Cyclone V SoC视频应用回放演示 采用低成本、低功耗CPLD开发套件制作音乐,实现更多功能 TI SimpleLink MCU无线平台及软件套件介绍现场培训 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 在DM8168中通过live555实现rtsp的直播 1、源码http://live555.com/liveMedia/public/2、实现交叉编译vimconfig.armlinux修改:CROSS_COMPILE?=arm-none-linux-gnueabi-./genMakefilesarmlinuxmake挂载:busyboxmount-tnfs-ono 37°男人 跪求帮助,急急急stm32的问题,大神在哪??? 今天遇见两个问题下面是问题1.打开文件工程无法运行调试恳请大神指导跪求帮助,急急急stm32的问题,大神在哪???今天遇见两个问题下面是问题2.新建文件工程无法运行调试,总是有错误,怎么回事啊。。。。。。哪个大神帮一下忙。。。。。是不是没选择器件你的Keil没有正确安装,没有找到工具链。多半你的Keil是从其它地方复制过来的,需要修改Keil下的TOOLS.INI文件,把里面的目录改一下,如:PATH=e:\\Keil\\ARM\\楼主的Keil编译器,路径不对或没有指定, 也许想你 wince S3C6410 TSC2003 IIC 接口触摸屏驱动芯片驱动——S5pv210 等wince下值得参考 RT上传源码!欢迎使用修改。winceS3C6410TSC2003IIC接口触摸屏驱动芯片驱动——S5pv210等wince下值得参考好定西啊,谢谢,爱死GM了,帮了我大忙好定西啊,谢谢原帖由xiaoyaodid于2013-4-2823:33发表好定西啊,谢谢,爱死GM了,帮了我大忙这么好的资料,居然只有人下载两次。拿走了怎么赚芯币啊?原帖由carlward于2013-12-922:23发表怎么赚芯币啊?这个回帖就行了吧 gooogleman 福禄克专家级红外热像仪抢先预约现场演示送罗技无线鼠标 福禄克发布大师之选——专家级红外热像仪,314万个真实测量的温度数据,抢先预约现场演示!您可以现场体验最尖端红外技术;畅享最全面的辅助功能;交流全新红外应用案例;从温度的角度分析问题,针对您的应用定制专属红外解决方案。填写此链接中的表格,即可抢先预约现场免费演示,提前体验福即将隆重上市的专家级热像仪(红外像素高达2048*1536)。所有预约成功的工程师都可以获赠价值180元的罗技无线鼠标一个:pleas eric_wang [资料]凌阳单片机SPCE061A芯片资料 最近正在实习,得到一些凌阳单片机的资料,传上来看大家谁需要^_^资料说明1.《61指令周期表V1.1》介绍了SPCE061A的unSP1.1版本CPU内核的指令周期数、指令形式等2.《SPCE061A英文数据手册v0.8》最新的英文数据手册,当其他资料和它冲突时,以这份资料为标准3.《SPCE061A英文编程手册v1.3》最新的英文编程手册4.《SPCE061A的FAQ》SPCE061A芯片使用过程中的常见问题及解答5.《LQFP80的脚位图 SuperStar515 【晒图贴】NUCLEO-091和上次开发奖品移动电源一起到了 【晒图贴】NUCLEO-091和上次开发奖品移动电源一起到了恭喜楼主啊恭喜啊,我的华为盒子怎么还没到呢恭喜恭喜楼主威武恭喜恭喜NUCLEO-091真漂亮,我也要团购一片双喜临门! Veiko 网友正在看 2e- Coding Style for RTL - part 1 树莓派如何通过MQTT进行通信 相关学习资源 Gerber文件的输出 电路分析基础.64 深入研究低能耗加速器(LEA)外设 SEPIC 转换器的布线设计探讨 GoKit3(S)源码详解