本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 概述-1性质与用途继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 直播回放: Keysight 基于数字孪生的软件工具,助力射频子系统验证 夏普做了款超萌的机器人,能打电话能投影 开源力量 linux内核源码研读与实战演练 MSP430的开发资源:源代码、应用笔记、参考设计等 基于Ispice与Hspice的SPICE教学视频(元智大学) Atmel CryptoAuthentication- 安全保护 · 稳固收益(一) Hinton机器学习与神经网络 TI 车载娱乐及仪表电源解决方案 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 创意不仅是制作也是艺术 这只是一个金属的艺术设计作品,也许有人觉得这不能算是创意或者和我们的电子设计论坛没什么关系,我只是想说无论是创意还是电子制作都需要精心的设计,像艺术品一样精心打磨Henry’sRobotsHenryhasbeencreatinghisarmyofminiaturemetalmechsforafewyearsnow.EachandeveryoneishandmadebyHenryhimse crazyk 倒车雷达的超声波测距最简单的单芯片控制方案 倒车雷达的超声波测距最简单的单芯片控制方案GM3101是专用于倒车雷达的超声波测距芯片,该芯片提供4路超声波探头的驱动,并根据超声波特性和倒车雷达的使用环境进行了一系列智能化处理,在保证超声波测距精确性的基础上,更加强了报警功能的准确性和实用性。测试结果编码后采用双线差分方式输出,提高了信号传输的抗干扰性。GM3101可为倒车雷达系统提供最简单的单芯片控制方案,替代现有的单片机控制方案。该芯片的优势在于尽可能地为倒车雷达系统提高集成度,减少外围元件。同时 ENGFOSVOS 关于IO重映射的问题 请问MCU32中哪些模块使用时要用到remap啊,这个IO重映射在什么情况下才是必需的?目前知道几个TIM需要remap关于IO重映射的问题IO重映射和复用应该是一样的意思吧?IORemap不是必需的,这要看你的设计是否有需要了比如你要同时用USART1进行通讯,用Timer1的Ch2,Ch3进行PWM输出,由于它们默认都使用了PA9和PA10,这时就需要Remap其中的Timer1或是USART1到别的引脚上 阿神归来 单片机发送AT命令的问题 charsend_AT=at\\r;我把这个字符串用单片机发送出去(我调试过单片机能发送到电脑),这样说明发出数据没问题;但是我把单片机和TC35i连接,让单片机发送给他就是没反应;能不能说下是什么原因单片机发送AT命令的问题TC35i通讯设置对吗?先将TC35i的串口接到电脑上,看看模块好不好,再看看串口设置对不对。模块正确上电了吗?上电成功后,模块会从串口输出至少一个字符的(不同类型的模块,输出的不一样)。所以,你得先看看能不能接收到这一个或一串字符。你用的模块是不是 SnowfoxMetal linux内核完全剖析 基于0.12内核 txt下载 linux内核完全剖析基于0.12内核赵炯的200901的txtdocpdf的下载版本地址谁有就给个链接吧谢谢了哈嘿嘿linux内核完全剖析基于0.12内核txt下载没有这个版本的啊,别的可以吗回复楼主至尊宝520的帖子可以啊hmzj123456@sina.com谢谢了回复沙发daicheng的帖子共享一下啊, 至尊宝520 实用电工速算口诀集 本帖最后由jameswangsynnex于2015-3-320:00编辑已知变压器容量,求其各电压等级侧额定电流口诀a:容量除以电压值,其商乘六除以十。说明:适用于任何电压等级。在日常工作中,有些电工只涉及一两种电压等级的变压器额定电流的计算。将以上口诀简化,则可推导出计算各电压等级侧额定电流的口诀:容量系数相乘求。已知变压器容量,速算其一、二次保护熔断体(俗称保险丝)的电流值。口诀b:配变高压熔断体,容量电压相比求。配变低压熔断体,容量乘9除以5。说 lorant 网友正在看 类型修饰符(二)_static_const 组合电路的HDL设计与实现(基础实验1) 电力电子基础 【3.9】示波器总线测试讲解之汽车电子 车用液晶仪表显示控制器 深度卷积神经网络 AlexNet 下一代磁感应解决方案:XtremeSense™ TMR 技术如何促进高效应用 信号与系统22