本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 湿法刻蚀技术继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 解析电池保护和电量计方案,TI 专家与您面对面 支持多通道的32Gbit/s 信号质量分析仪——MP1800A Google Wear可穿戴系统通信机制破解 Intersil的Summer of Love限量版五瓣花 TDA2x SOC 系列(1):用于 ADAS 的 TDA2x SOC 系列 Stellaris LaunchPad入门讲座(三) [高精度实验室] 电机驱动 : 2 有刷直流驱动器 电源设计小贴士2::驾驭噪声电源 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 应用技巧/低功耗MSP430单片机在3V与5V混合系统中的逻辑接口技术 低功耗MSP430单片机与传统的LSTTL、HCMOS和CMOS接口技术,特别阐述了3V器件具有5V容限的特点,介绍两种电平移位器应用技巧/低功耗MSP430单片机在3V与5V混合系统中的逻辑接口技术ganxie回复:应用技巧/低功耗MSP430单片机在3V与5V混合系统中的逻辑接口技术8错,坚决支持,谢谢了,顶你一下Re:应用技巧/低功耗MSP430单片机在3V与5V混合系统中的逻辑接口技术 rain 关于SendMessage(); SendMessage(WM_ICONERASEBKGND,(WPARAM)dc.GetSafeHdc(),0);我要做一个Wince五子棋的程序,可是WM_ICONERASEBKGND不能用到Wince里,请问在Wince理有替代它的吗,谢谢关于SendMessage();改变背景颜色在WM_CTLCOLOR消息中修改背景图片在OnPaint中用StretchDIBits或BitBlt pqwgh 【DigiKey“智造万物,快乐不停”创意大赛】开箱 下单的时候,也就是最初的目标是想实现一个电子锁,最初的构想是通过GPIO口输出电压,控制继电器,然后让继电器来控制电磁锁。这个说起来提供简单的,但是毕竟自己没有太多成功的经验,所以希望自己能够顺利完成任务,不过首先要发一个开箱贴,然后兑现。差点忘记还有一个按键【DigiKey“智造万物,快乐不停”创意大赛】开箱也就是最初的目标是想实现一个电子锁,最初的构想是通过GPIO口输出电压,控制继电器,然后让继电器来控制电磁锁。有想法,有想法,恭喜物料到手!但是在烧录镜 yinxx LM3s8962体验之七……关于Startup.s解析 关于Startup.s解析;UseConfigurationWizardinContextMenu;******************************************************************************;;Startup.s-StartupcodeforStellaris.;;Copyright(c)2006-2007LuminaryMicro,Inc.Allrightsrese sdjntl 《深度强化学习实战》收到书并读了第一章 很高兴收到书啊,上照片:未来的计算机语言将更关注目标,而不太关注同程序员指定的过程。马文.明斯基这句话我很反感,因为我从事的工作就是程序员指定的过程。不指定过程要单片机程序员干么?深度强化学习:是机器学习的一个子领域,它将深度学习(神经网络)应用于强化学习任务。强化学习:是表示和解决控制任务的通用框架,在该框架中,我们可以自由选择应用于特定控制任务的算法。它们俩之间的关系:书中说得明白:深度学习是机器学习的一个子领域,可以为 ddllxxrr 请指点 谢谢 我是自动化专业的学生,很喜欢VC但不知道VC对自动化专业有用吗》谢谢(请具体讲讲)请指点谢谢支持搂主,收藏帮楼主顶一下!顺便也接点分 wxq20061001 网友正在看 第五章 循环控制结构程序01 (19) -双内核之间的通信 1 总线通讯的概念 7种智能设计怒刷存在感 本章导学 非线性变换概述 电阻、电感与电容元件串联的交流电路(1) 大功率器件IEGT