本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 湿法刻蚀技术继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 Silicon Labs BLDC无刷直流电机简介 ARM Cortex-M0 全可编程SoC原理及实现 栅极驱动器的设计陷阱以及如何解决 集成传感器 英式树莓派起步教程 宽 VIN 范围降压型稳压器仅消耗 2.8µA 输入电流 直播回放: Melexis 详解半导体研发功能安全的实现与技术支持 利用神经网络的目标检测和识别 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 ZIGBEE技术和应用概要(图解) ZIGBEE技术和应用概要(图解)回复:ZIGBEE技术和应用概要(图解)回复:ZIGBEE技术和应用概要(图解)回复:ZIGBEE技术和应用概要(图解)不错,抢个沙发先顶一下回复:ZIGBEE技术和应用概要(图解)很好,需要整合各种资源武装自己头脑Re:ZIGBEE技术和应用概要(图解)厉害!经典!可以让人一目了然,相互比较才有发言权Re:ZIGBEE技术和应用概要(图解)呵呵,不错的资料,学习下,这个是很有前景的一个应用呀 呱呱 STM32建立固件库工程 关于工程MDK就不过多介绍,直接开始建立搭建工程:1)首先我们先建立以下文件目录:Core用来存放CM3核心文件和启动文件,Libraries用来存放库文件和头文件,OBJ是用来存放编译过程文件以及hex文件,User存放自己的文件。2)相应文件建立好了,我们可以进行添加相应文件,首先把目录\\STM32F10x_StdPeriph_Lib_V3.5.0\\Libraries\\CMSIS\\CM3\\CoreSupport下的core_cm3.c和core_cm shmily53 汽车上的电子控制单元ECU 现代轿车发动机大都用电子燃油喷射系统,其中有一个形似方盒子的控制元件叫“ECU”,ECU的称谓较多,有人称它为电脑,有人称它为微机,还有人称它为微处理器,那么,它实际上是个什么东西呢?简单地说,ECU由微机和外围电路组成。而微机就是在一块芯片上集成了微处理器(CPU),存储器和输入/输出接口的单元。ECU的主要部分是微机,而核心件是CPU。ECU将输入信号转化为数字形式,根据存储的参考数据进行对比加工,计算出输出值,输出信号再经功率放大去控制若干个调节伺服元件,例如继电器和开关等。因此 frozenviolet NXP LPC1768宝马开发板第八章time定时器 第八章宝马1768——Time定时器开发环境:集成开发环境μVision4IDE版本4.60.0.0主机系统:MicrosoftWindowsXP开发平台:旺宝NXPLPC1768开发板8.1TIME定时器8.2硬件描述8.3程序说明8.4 旺宝电子 我下载了两个AD14的安装包,为何大小不一样? 我下载的AltiumDesigner14.2.3大小为4.3G,下载的AltiumDesigner14.3.15Build35511为2.96G,下载的AD14.3.16为1.26G,为什么版本越高安装文件越小?另外altiumdesignerextensions是什么,有什么作用,用装吗?我下载了两个AD14的安装包,为何大小不一样?包含的功能模块不一样,大小也就不一样了 文件小的是精简版,可以用,文件缺失了默认打开方式等。大小到没有关系,封装库少看看这个Al lzuoxin DDS原理简介(中文) DDS原理简介(中文)DDS原理简介(中文)DDS很经典,至今很多毕设都是做这个。DirectDigitalSynthesizer\032学习了啊好东西,原理都一目了然Dds,经典有个DDS模块,没折腾过,学习一下FPGA做算法的基础知识学习一下 青城山下 网友正在看 EXISTING BUILDINGS - 110.26(A)(1)(c) C语言编译常见错误举例 IIC协议介绍6 AD9发展史及主要功能介绍 P6. L13-D1-6 模糊类神经网络控制系统 3. 离散动态控制系统 视频的二进制表示 bootm启动流程分析3