本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 光刻引言继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 TI 精密放大器在测试医疗领域的应用 DIY:如何在树莓派上安装 Android 7.1 财哥说钛丝 汽车USB充电 直播回放: AVNET 利用片上 CIP 和智能模拟,构建复杂的嵌入式控制功能 NFC近场通信系列培训课程 直播回放: 符合 USB 2.0 标准的最新隔离器件 i.MX Linux开发实战指南 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 无线生活的开始 今天刚刚拿到板子心情激动啊,希望有个好的开始。发帖晒晒套件。并感谢论坛和庆科。无线生活的开始好东西~~~恭喜楼主搞起听说东西很多很全面楼主好好玩啊楼主加油啊 908508455a 圆点博士小四轴飞行器MPU6050和HMC5883L自我测试模式下的数据研究 圆点博士小四轴飞行器MPU6050和HMC5883L自我测试模式下的数据研究:=======先来看MPU6040数据手册=============================7.12Self-TestSelf-testallowsforthetestingofthemechanicalandelectricalportionsofthesensors.Theself-testforeachmeasurementaxiscanbeactiva 圆点博士 第四周庆科Open1081使用心得WIFI基本Demo测试 本帖最后由天之玄幻于2014-11-2400:27编辑 Wifi测试:1.打开工程Demo1_WiFi_Link,通过Jlink下载程序,串口打印出附近wifi信息如下:StartscanconnecttoChinaNet-D6Ca.....Find19APs:SSID:LENOVO-PC_Network_1,Signal:52%SSID:ZYQzyq520,Signal:52%SSID:TP-LINK_788368,S 天之玄幻 数码管发光暗,是因为扫描频率低吗? 数码管发光暗,是因为扫描频率低吗?还有第一位数码管为什么特别亮呢,从硬件原理解释一下,谢谢!数码管发光暗,是因为扫描频率低吗?应该是你程序上的问题,扫瞄时间不均等哈普中的51开发板大学时代第一块开发板至今还收藏着你把最后一位显示个1看看slotg发表于2014-11-2111:05应该是你程序上的问题,扫瞄时间不均等 但是我把排线调换一下位置,还是那一位最亮qq849682862发表于2014-11-2111:13哈普中的51开发板 setupsong 【X-Nucleo心得】收到X-NUCLEO-IDB04A1并安装MDK 本帖最后由ddllxxrr于2014-11-2310:22编辑 收到了X-NUCLEO-IDB04A1,上照片哈:来时的包装:反面,还是意大利货正面:由于本人的电脑装的是MDK4.72没有这款芯片,所以我就升到了MDK5了也下了,st的那个开发包:里边有个DEMO的例程。编译了一下。通过并下进了板子:【X-Nucleo心得】收到X-NUCLEO-IDB04A1并安装MDK很不错啊。不错不错好东西啊楼主可以好好玩了啊 ddllxxrr ADC122S021的时序问题 本帖最后由dontium于2015-1-2311:18编辑uintADC12_Config(unsignedchartemp){unsignedchari;uintnum,tmp=0x000;CS_0;SCLK_1;for(i=0;i ylsj123456 网友正在看 模拟电子技术基础28 STM32虚拟蜡烛效果 3D 图形 - 3D Graphics orcad中原理图的设计纸张大小应该怎么去设置 管理Linux文件2 TI 毫米波雷达技术 - AWR1xxx 汽车雷达应用 PCB拼板认识-V-cut与邮票孔 信息与媒体