本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 氮化硅薄膜继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 PI电源芯片: Motor-Expert软件简化无刷直流电机驱动设计 您为什么需要有源DDR终端器 模拟集成电路设计(上海交通大学李章全) 最优化理论与算法(西南科技大学) [高精度实验室] ADC系列 8 : 低功耗逐次逼近型 (SAR) 模数转换器 (ADC) 的系统设计 树莓派的 GPIO 基础 Arduino雷达项目 Atmel软件框架(ASF) – 软件设计程序 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 关于stm32输出PWM方波的同步问题 各位前辈们好,我最近打算调用一款ADC,遇到了一些不懂的问题,需要求教!问题是这样的,adc需要一个10MHz的CLK信号,同时需要单片机给一个CONV信号。这个CONV信号是每4760个clk跳变一次,就是高低电平跳转,但是它要求这个conv跳变要在第4760个clk上升沿左右10ns之内跳变,这就要求clk和conv的相位几乎同步。网上有人说用TIM1的CH1产生10M的clk信号,ch2产生conv信号,可具体怎样能使conv跳变的时候能每次都在clk上升沿10ns范围内呢?求高手解答! cxpph007 TI 无线产品调查问卷,380份好礼等你领! 活动时间:即日起-11月16日请认真填写调查问卷,对于应付参与调查问卷及非电子行业参与者,我们将取消获奖资料。我们随机抽取380名幸运网友,送出以下精美礼品一份。活动详情:TI无线产品调查问卷,380份好礼等你领!\0\0\0eeworldpostqqTI无线产品调查问卷,380份好礼等你领!这个惠及度太给力了吧qq849682862发表于2014-10-2014:17这个惠及度太给力了吧 获奖机会还是相当大滴!活动必须支持,已 EEWORLD社区 【资讯】为Altera SoC提供的MathWorks MATLAB新支持包 MathWorksMATLABR2014b版含有Altera®SoC的新硬件支持包。这极大的简化了AlteraSoC的仿真、原型开发、验证和实施过程,显著减少了从模型到硅片的开发投入。可以从以下链接了解详情:http://cn.mathworks.com/hardware-support/altera-soc-hdlcoder.html?utm_source=altera&utm_medium=newsletter&utm_campai chenzhufly 【开发例程共享】Keystone1 软件开发包 附件是基于Keystone1CSL开发的例程,其中包括了SRIO,PCIe,AIF2,UART等外设,及Navigator,memorytest等常用例程,可供大家开发参考。请大家在使用例程时,注意以下几点:1.导入工程后需要根据你电脑上安装的pdk路径修改includeoptions中PDK的路径;2.更新工程src中link的文件,从common中相应的公共文件拉到工程中src下面;3.如果是移植到非EVM板上运行,则需要修改main函数中输入时钟源的配置。该 maylove EE_FPGA基础教程系列 -- NO.1--Quartus II的安装V1.0                                          chenzhufly 如何制作hex文件烧录上位机 可以自动识别的usb烧录器,我现在的问题是协议是如何的?比方说,我将hex文件烧录到单片机的话,是用单片机的串口进行接收,然后如何把hex再弄到flash呢?如何制作hex文件烧录上位机这个要看待编程的器件是如何设计的,编程协议要么找厂家要,这个只有大客户才有资格拿到,要么自己破解协议。avr单片机的烧录时序和命令,在数据手册中有。通过串口下载的,也有不少资料可以参考,在atmel的应用笔记中有,不过基本都是英文的。比如http://www.atmel.com/devices/ATM yangganglone 网友正在看 正交小波充分条件证明 I 原理图与PCB的交互式操作如何设置,注意什么? User Preferences设置以及收藏夹运用 功率因数的提高 中断系统与可编程中断控制器芯片8259A(二) 典型微机械陀螺(续) 升压和升降压DCDC变换器助力无线充电设计 GROUNDING LUMINAIRES - 410.42 AND 410.44