本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 扩散掺杂-2限定源继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 深入理解计算机系统CMU 简化数字电源 升压变换器的输出电流精确限流方案 CH32V 系列 RISC-V MCU 开发实战 2015电源设计研讨会: 多相同步升压型变换器(1) Altium Designer 21最小系统板电子设计全流程实战教程 机器学习 Cypress CapSense MBR3 触控按键解决方案介绍 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 电子设计大赛的朋友们加群 本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:19编辑有识之士请加群:39854750一起参加电子设计大赛的讨论电子设计大赛的朋友们加群本帖最后由paulhyde于2014-9-1509:19编辑有做车类的朋友欢迎加入群:43259541(加入时请注明“电子设计竞赛”),希望大家能够互相帮住,我的E-mail是kd_jacky@163.com,最后祝大家都能取得理想的成绩。回复:电子设计大赛的朋友们加群本帖最后由paulhyde于 ueiia L298N的第1和15脚的具体用法和意义 最近看了L298N的数据手册,关于第1和15脚,上面说接一个检测电阻,可以用来作为过压的输出信号,从而起到保护芯片的作用。那位大虾知道的,说一下L298N的第1和15脚的具体用法和意义 L298N指的是STMicroelectronics公司的步进马达驱动芯片,1脚和15脚分别是SENSEA和SENSEB? 从片内电路图可看出,SENSEA和SENSEB分别对地接一电阻,下拉的驱动电流将通过这个电阻。当电流过大时电阻上的压降也变大,下拉驱动管的射极电位将被抬高,使下拉驱动管趋于截止 SHIFPGA SRAM建模? 小弟刚刚接触SRAM,被要求给一个SRAM建模。问一下什么叫做SRAM建模?是SRAM的读写控制器还是SRAM的仿真模型?SRAM建模?快来人呀应该是在FPGA中自己写一块SDRAM出来,这个应该不是很难!了解SDRAM有什么端口,各端口什么功能,再去写FPGA模块就行!应该时在FPGA中模拟一个SRAM静态RAM。模拟SRAM比较简单,查看SRAM的外部接口时序,在SRAM直接按照时序生产一个SRAM,即可! pplcyls F28M35H52C1 M3核的uDMA channel使能不正常 我在用F28M35H52C1的uDMAchannel20和channel21与EPI之间传输数据时,无法同时使能channel20和channel21。我使用的是controlSUITE的API函数来使能的,我的部分代码如下:#defineUDMA_CHANNEL_EPIRX20#defineUDMA_CHANNEL_EPITX21.........(uDMA通道传输配置代码,在该代码部分也将channel20、channel21配置为EPI通道了)u MADONG 【基于物联网的PLC】---纯手工制作PLC控制器 由于本次PLC涉及的元器件较多,费了很大力气才集齐所有器件及模块。感谢朋友提供的部分接插件及模块样品。PLC外壳翻箱倒柜,终于找到了十年前珍藏的SANHE仪表外壳,加工一下还是很巴适的。参考树莓派的接口图,画了一张面板打孔图:开始打孔:边角用美工刀休整一下就OK了:焊台准备到位:焊接面板OLED:用热熔枪固定OLED显示屏到面 cpsiot 手机中的基带和射频设计 AbstractGSMiscurrentlythemostwidelyadopteddigitalcellulartelephonystandardintheworld.ThispaperpresentsdetailsofthedesignoftheRFtobasebandsectionofaPCS1900cellularhandset.Detailedblockdiagrams,circuitdescriptionsa qin552011373 网友正在看 SmallDimension_Effects_–_Junction_Leakage 按需调页 参量微积分特性 XDS100V2在CCS4.2下使用入门 GoKit3二次开发-通用平台版移植说明 BuckConverter6 PCB快捷键的设置及推荐 幅度调制抗噪声性能