本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 氧化层检测-2成膜质量继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 无线电烙铁演示 F28335 和入门套件演示 低速串行总线调试-RS232译码 HVI系列 - 如何驱动碳化硅 MOSFET 以优化高功率系统的性能和可靠性 正点原子手把手教你学 NIOS II TI DLP® Labs - DLP 技术 零基础教你学习电子焊接 直流电桥原理及操作 复旦大学 热门下载 [资料]-JIS C2315-2-2010 电气用途的硬化纤维.第2部分:试验方法.pdf [资料]-JIS C8119-1-1999 放电灯具的镇流器(管状荧光灯除外).第1部分:一般要求和安全要求.pdf [资料]-JIS C5965-3-1-2011 光ファイバコネクタ光学互換-第3-1部:シングルモード光ファ.pdf [资料]-JIS T1305-1985 直观式血压监视装置.pdf [资料]-JIS F7304-1996 造船.16K青铜角阀.pdf [资料]-JIS B8224-2005 Boiler feed water and boiler water-Testing methods.pdf [资料]-JIS W0601-1990 Aerospace -- Pipelines -- Identification.pdf [资料]-JIS Z 3264:1998 Copper phosphorus brazing filler metals.pdf [资料]-JIS T3233-2005 静脉血样采集用一次性真空容器.pdf [资料]-JIS B8378-2-2000 气液动力.压缩空气润滑器.第2部分预定列入供应商资料中的产品主要特性的测定试验方法.pdf 热门帖子 关于PN结击穿,初学者百思不得其解的问题 高掺杂情况下会发生雪崩击穿吗,低掺杂情况下会发生齐纳击穿吗?一般来说反向击穿电压7V时为雪崩击穿,那这个时候会发生齐纳击穿吗?(两种击穿状态共存)反向击穿电压5V时为齐纳击穿,这时会发生雪崩击穿吗?(两种击穿状态共存)\0\0\0eeworldpostqq关于PN结击穿,初学者百思不得其解的问题楼主把雪崩击穿和齐纳击穿描述得好象有误。这个最基础的问题,网上有很多好帖,可以找一找。这里给你提供一篇:http://wenku.baidu.com/link?url=...fWn beehive 【TI首届低功耗设计大赛】三轴加速度演示 本帖最后由ltbytyn于2014-11-1723:18编辑 硬件部分:MSP430FR5969Launchpad+430BOOST-SHARP96+ADXL345ADXL345数字三轴重力加速度芯片,支持I2C\\SPI两种接口,本设计中采用I2C接口。MSP430FR5969事实上是有硬件I2C接口,但是与430BOOST-SHARP96连接后,I2C接口(P1.6/P1.7)被占用。只有P2.5\\P2.6\\P3.0可做他用,这三个脚均不支持硬件I2C,故使用I ltbytyn 有人研究自抗扰控制器的么?能指导一下么 请问有大神研究“自抗扰算法”么百度了一下说是由PID演化而来的,菜鸟一枚,对实现原理不大懂,有大神愿意分析下么?谢谢有人研究自抗扰控制器的么?能指导一下么抗干扰的方法很多,这个“自抗扰”的说法不够明确,实在难以猜断。抗扰,必须要看是什么类型的干扰,哪里来的干扰,干扰的性质和强度如何,没有这些数据就谈不上什么抗扰。chunyang发表于2014-11-1322:22抗干扰的方法很多,这个“自抗扰”的说法不够明确,实在难以猜断。抗扰,必须要看是什么类型的干扰,哪里来 swustlx86 一起来学LCD12864菜单程序(包含完整程序) /*-------------------------------------------项目名: 家电中央控制系统工程程序名: 显示MCU总体程序编写人: 杜洋 初写时间: 2005年9月5日晚20时程序功能:实现液晶、语音部分的人机对话和总线的通信实现方法: 用中断实现总线接收CPU说明: 89S52 12MHZ晶振接口说明: (详见 初定义)信息说明: 修改日志: NO.1- ------------------------ 程序天使 贴片电阻电容功率与尺寸对应表 贴片电阻电容功率与尺寸对应表2007-12-1816:41贴片电阻电容功率与尺寸对应表电阻封装尺寸与功率关系,通常来说:02011/20W04021/16W06031/10W08051/8W12061/4W电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:0402=1.0x0.50603=1.6x0.80805=2.0x1.21206=3.2x1.61210=3.2x2.51812=4.5x3.22225=5.6x6.5常规贴片电阻(部 安_然 CCS中不同数据类型之间赋值应该注意些什么? 之前做一个项目老有些小问题最近做程序优化发现可能是不同数据类型之间赋值导致数据异常想请教下各位你们一般在做不同数据类型进行运算后再赋值要做些什么处理?今天我就发现一处问题A为floatUA为Uint16无符号16位整形A=2048-UA后A数据异常(UA为0-4096)A会出现65535附近的数CCS中不同数据类型之间赋值应该注意些什么?还有问下28335如果没加FTU_32的数学库就进行float和float的除法会导致数据出错吗???是会出问题,一般涉及到时都会 030332 网友正在看 步进电机驱动与控制(第1节)_步进电机的几个基本概念 MIL-STD 1553 触发、解码和模板测试 系统函数及其物理意义 如何通过SPI连接一个精密DAC器件 lambda匿名函数 小波与滤波器组03 Laplace 变换 u-boot的版本选择