本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 二氧化硅薄膜-1性质继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 电源设计小贴士49:多层陶瓷电容器常见小缺陷的规避方法 LTM4620效率 DigiKey 应用说:蓝牙5.4 新特性解读及实例演示 聊天学Xilinx Vivado设计套件 电子安全密码锁系统 直播回放: 基于TI最新低功耗60GHz毫米波雷达传感器的应用 物联网与创客 直播回放: 基于迈来芯第二代位置传感器优化设计的新一代产品,更高的性能和富有竞争力的成本 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 PIC 8位单片机的分类和特点 美国Microchip公司推出的PIC单片机系列产品,首先采用了RISC结构的嵌入式微控制器,其高速度、低电压、低功耗、大电流LCD驱动能力和低价位OTP技术等都体现出单片机产业的新趋势。现在PIC系列单片机在世界单片机市场的份额排名中已逐年升位,尤其在8位单片机市场,据称已从1990年的第20位上升到目前的第二位。PIC单片机从覆盖市场出发,已有三种(又称三层次)系列多种型号的产品问世,所以在全球都可以看到PIC单片机从电脑的外设、家电控制、电讯通信、智能仪器、汽车电子到金融电子各个领域的广泛 zhaozilong LDO测试项目咨询 我知道在DCDC有一些测试项目,或者说是技术指标比如说lineregulation、loadregulation、efficiency、ripple、transientresponse。最近我做了一个LDO的8转5V的,LDO方面是不是也有相应的一些指标,是不是跟DCDC一样,还是说有其他的LDO测试项目咨询额LDO技术手册上不是有么?LDO的8转5V的芯片比较多,一般都能满足。比如1117什么指标主要看电路什么要求了。线性调整率是输入电压变化时,看输出电压的变化 mokedeng 【晒样片】+用LED 矩阵管理器(TPS92661-Q1) 这次申请样品的速度飞快啊,只用了3天就搞定了,很给力。目前只用到了LED灯的照明芯片,只申请了5片。申请样品时需要注意:1、如果是企业用户申请最好填企业邮箱,这样申请会快很多;2、个人的电话要时刻保持畅通,有时会联系订单下载:【晒样片】+用LED矩阵管理器(TPS92661-Q1) 请按照活动要求晒样品集团客户哦!请教在TI上以前申请过,现在不能申请,怎么弄啊,晓得不?lingergz发表于2015-1-2908:38请教在 DavidZH 国外经典教材--模拟集成电路的分析与设计(英文版) 模拟集成电路的分析与设计(英文版)《模拟集成电路的分析与设计介绍模拟集成电路的分析与设计。全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念,同时还阐述了模拟集成电路的新技术和新《模拟集成电路的分析与设计(翻译版)(第4版)》共十二章。前七章介绍了集成电路放大器件模型,双极型、MOS和BICMOS集成电路技术,单级放大器与多级放大器,镜像电流源、有源负载和基准源,输出级,单端输出的运算放大器以及集成电路的频率呼应第八、九章介绍了反馈,反馈放大器的频率呼应和稳定 tiankai001 C8051F361 比较器遇到的问题 我想请教个问题:我用的是C8051F361单片机,用P14和P15脚测输入信号频率,P15我给它1.25参考电压。P14脚是输入信号。但实际效果是P15为0V.不知道哪个大哥知道问题所在?把单片机拿掉,P15脚又恢复成1.25V.C8051F361比较器遇到的问题软件和MCU的IO口问题吧设计好硬件先啦p1.5口应该设推挽方式;你好,请问你有C8051361这方面的资料或者视频吗?我要接触这个了,想先查点资料学习一下 1a2b3c 玩转IP core \0\0\0eeworldpostqq玩转IPcore不错啊,虽然我不是搞这个的,但也能看得懂一部分。 雨中 网友正在看 Part3: MSP430FR604x Ultrasonic MCUs 联发科技 Helio X20 Tri-Cluster 架构功耗性能演示 2011ARM Techcon系列之Cadence 时钟偏差 沃罗诺伊路线图法 总线和交叉开关 权电阻网络D_A转换器 摺積系統定理 - 4_摺積操作之下的穩定性系統定理