本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 蒸镀-2设备、工艺继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 如何用机智云新版平台开发一款4g智能设备 STM32无刷电机开发套件演示说明 2015 TI 音频创新日 (13) 车载放大器介绍 TI 电池管理深度解析系列 eRTC培训视频 PIC32MX1/MX2入门开发工具套件 十天学会AVR单片机和C语言视频教程 学习设计完整AC-DC系统的快速低风险方法 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 兆易也搞无线了,首款GD32W515系列Wi-Fi MCU发布,要不要玩? 今日(2021年11月24日北京),兆易正式发布基于ArmCortex-M33内核的GD32W515系列Wi-Fi微控制器。强化无线安全的AIoT部署。已经开始提供样片,并将于12月正式量产供货。听说,有点对标ST的W系列的意思?兆易也搞无线了,首款GD32W515系列Wi-FiMCU发布,要不要玩?买的ip吧。看看再说 估计还要等一段时间吧。 蓝猫淘气 IAR下载程序时候出现A target IAR在下载程序时候出现Atargetcannotbeselectedwhenusedinanotherdebugsessionorinotherapplications我用的是XP系统。IAR是7.5版本。跪求欧大神指点IAR下载程序时候出现Atarget我跟你找了一下,说是什么驱动没有装,你看看是不是的 井立超 根据我利用LM3S8962设计产品开发的需要,今天将研读LM3S8962 I2C英文资料心得分享如下 I2C内部模块图如下:从上面模块图可以看出,LM3S8962支持主从两种模式,对应外部I2C总线,本产品设计中利用LM3S8962的I2C模块对数模转换芯片DAC8571进行数目转换。因此本设计中利用I2C主模式访问外部芯片。问题来了:1.怎样选择I2C主从模式?2.I2C模式支持速率多少?上面的两个问题从I2C模块相应的资料可以找到。第一个问题,相关英文资料如下:对I2CMCR寄存器写一个值为0X0000.0020即可。第二个问题怎么设置I2C模块的速度,通过对I2 eeleader 用什么软件和下载器可以把hex文件下载到msp430板子里 请教个问题,我只有msp430的一个hex文件和板子,请问用什么软件和下载器可以把hex文件下载到板子里呢?用什么软件和下载器可以把hex文件下载到msp430板子里有软件的,LiteFET-Pro430Elprotronic。自己去下载吧好的,谢谢,我试试最简单的就是BSL下载了,软件也很多,简单易用快捷看您用什么方式了,目前单片机的下载方式无外乎isp串口下载,仿真器下载,这两种常用一些啦。本帖最后由小小一书生于2015-10-3013:44编辑 summer 9B96 UART1的Smart Card(ISO 7816)使用? 有没有人用过9B96UART1的ISO7816模式?在该模式下U1TX输出频率是多少?最高能到多少?TI的数据手册关于这部分只是简单提及,并未有详细说明。我正在使用9B96做一块智能卡读写器(原理设计阶段),但我手里没有9B96的开发板,暂时无法做这部分的实验,希望有实验条件或经验的兄弟姐妹们给予帮助,或共同讨论下! 9B96UART1的SmartCard(ISO7816)使用?怎么只有看的,没有回复呢!这么多天没人回复,不知道是这个问题过于简单不值一说呢,还是坛里真没人知道 zhengweiqi OTA测试暗箱的技术原理和应用场景 OTA测试暗箱在无线通信设备的研发与测试中扮演着至关重要的角色。以下是对OTA测试暗箱技术原理和应用场景的详细阐述:一、OTA测试暗箱的技术原理OTA测试暗箱的技术原理主要基于电磁波在封闭空间内的传播特性。测试暗箱内部经过特殊处理,以减少电磁波的反射和干扰,从而提供一个相对稳定的测试环境。测试时,被测设备(如手机、无线基站等)被置于暗箱内部,通过无线方式与其通信,以评估设备在无线传输环境中的性能表现。具体来说,OTA测试暗箱的技术原理包括以下几个方面: 电磁波屏蔽:测试暗 维立信测试仪器 网友正在看 随机过程非线性变换的直接方法(一) 负载星形连接的三相电路分析 Nyquist判据具体应用1 第4课 MMU实验 带通滤波器与低通滤波器 正交共轭性 灾害救援车的高速数据传输及动态监控 UART串口通信程序设计 无源高通滤波电路测试