本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 单晶硅特性(下)继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 电子科技大学《通信原理》经典教程(共39讲) 直播回放: 解锁 TI Sitara AM2x MCU 在电机驱动中的新可能 「嵌入式人工智能」- 中文聊天机器人开发 研讨会 : 更小型、高速、可靠的连接器推动物联网应用的新发展 直播回放: Microchip Timberwolf™ 音频处理器在线研讨会 TI Design 车用升压 LED 解决方案 - 高效率与输出开路保护 直播回放: 瑞萨电子 RA 系列产品开发工具之 FSP4.0.0 新特性介绍 Vishay威世科技--分流电阻 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 PIC 8位单片机的分类和特点 美国Microchip公司推出的PIC单片机系列产品,首先采用了RISC结构的嵌入式微控制器,其高速度、低电压、低功耗、大电流LCD驱动能力和低价位OTP技术等都体现出单片机产业的新趋势。现在PIC系列单片机在世界单片机市场的份额排名中已逐年升位,尤其在8位单片机市场,据称已从1990年的第20位上升到目前的第二位。PIC单片机从覆盖市场出发,已有三种(又称三层次)系列多种型号的产品问世,所以在全球都可以看到PIC单片机从电脑的外设、家电控制、电讯通信、智能仪器、汽车电子到金融电子各个领域的广泛 zhaozilong 【晒样片】+用LED 矩阵管理器(TPS92661-Q1) 这次申请样品的速度飞快啊,只用了3天就搞定了,很给力。目前只用到了LED灯的照明芯片,只申请了5片。申请样品时需要注意:1、如果是企业用户申请最好填企业邮箱,这样申请会快很多;2、个人的电话要时刻保持畅通,有时会联系订单下载:【晒样片】+用LED矩阵管理器(TPS92661-Q1) 请按照活动要求晒样品集团客户哦!请教在TI上以前申请过,现在不能申请,怎么弄啊,晓得不?lingergz发表于2015-1-2908:38请教在 DavidZH 【Atmel SAM R21创意大赛周计划】+RPL Simple-WebServer 恩,前面的帖子基本上已经跑起来基本的网络了,现在应该可以做一些应用了。搞点直观的东西吧,webserver不得不说还是比较基础的,那就弄一下了。参考开源的httpd-simple.c文件一些版权信息如下 /** *\\file *Asimplewebserverforwardingpagegenerationtoaprotothread *\\author *AdamDunkels *NiclasFinne lyzhangxiang 玩转IP core \0\0\0eeworldpostqq玩转IPcore不错啊,虽然我不是搞这个的,但也能看得懂一部分。 雨中 5438的最小系统版, 大家帮忙看看 5438A的最小系统版,大家帮忙看看,挑挑毛病,改进一下.谢谢12V供电传感器5V不对呀!传完发现电容怎么都变成100pF了5438的最小系统版,大家帮忙看看U5开关管建议后面的电感用100uH的电感,你可以通过计算来得出你需要的感值。另外1117-3.3V后面可以加104和106的贴片电容其它就没有什么。ai.en发表于2015-1-2917:14U5开关管建议后面的电感用100uH的电感,你可以通过计算来得出已修改, wenzheng 【Atmel SAM R21创意大赛周计划】第6周 USB CDC例程现象似乎不对呀 USB的CDC类是USB通信设备类(CommunicationDeviceClass)的简称。CDC类是USB组织定义的一类专门给各种通信设备(电信通信设备和中速网络通信设备)使用的USB子类。根据CDC类所针对通信设备的不同,CDC类又被分成以下不同的模型:USB传统纯电话业务(POTS)模型,USBISDN模型和USB网络模型。其中,USB传统纯电话业务模型,有可分为直接线控制模型(DirectLineControlModel)、抽象控制模型(AbstractControlM 770781327 网友正在看 差分串联电压开关逻辑 认识数码管,共阳极与共阴极数码管判别 图像的空间域锐化 UCOSII在STM32F103上的移植 进阶基因演算法 5. 适应函数标准差縮放 导线及NetLabel的添加 循序邏輯電路實作(I)_正反器實現 项目演示及整体思路介绍