本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 分子束外延继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 高效电源架构,适用于智能门锁,无电池灯开关和无线传感器 如何在示波器上进行频率响应分析 直播回放: C2000™ F280013x实现更低成本且更高效的实时控制方案 机器人技术及应用 直播回放 : TI 最新 C2000 实时控制器,在功率变换应用中实现高性能的成本优化型设计 磁场简介:第一部分 操作系统国防科大罗宇 ENVI学习视频(邓书斌) 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 菜鸟:按键GPIO模式的选择 看《零死角玩转stm32》中关于按键实验分析中看到,按键GPIO端口应该如何进行配置?火哥说两种方案:火哥用的第一种,所以初始化函数是:voidKey_GPIO_Config(void){GPIO_InitTypeDefGPIO_InitStructure;/*开启按键端口(PE5)的时钟*/RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOE,ENABLE);GPIO_Init dayup stm8s用外部晶抗干扰真的太差了.晕. stm8s用外部晶抗干扰真的太差了.晕.stm8s用外部晶抗干扰真的太差了.晕.控制接一个750W电机,开关电机没几次,就复位了.stm8怎么比st7差这么多。用内部振荡器应该也可以吧,不过好象低温精度不高啊...还是用内部的吧,16M也差不多够用了。外部的抗干扰确实会差。如果像楼主这样,应该是电路设计问题了。俺们单位的电加热开水器每天死机的,肯定是设计问题。 szhgx26 24C02串行EEPROM的C语言源程序 #defineucharunsignedchar#defineuintunsignedint#includereg52.h#includestdio.h#includeabsacc.hsbitscl=P3^5;//24c02SCLsbitsda=P3^4;//24c02SDAsbitDOG=P1^7;//狗ucharx24c02_read(ucharaddress);//从24c02的地址address中读取一个字节数据voidx24 rain 力荐:无线开关电源参考设计的能量采集 下载无线开关电源参考设计的能量采集为了充分发挥工业4.0的潜力,工厂和设备需要安装传感器。传感器的数量如此之多,使得有线安装设备禁用,因此无线技术(如无线HART和即将推出的Bluetooth®低能量网络)成为直接的考虑因素。然而,这些传感器的电池更换的成本通常被低估。不用使用电池,从传感器正监测的信号驱动传感器是可扩展性的解决方案。例如,位置或接近传感器由它们正在监视的实际运动提供动力,这使得系统能够达到可预测性和鲁棒性的最高水平。TI发布了一个新的参考设计,即无线开 soso 请问LC振荡电路,如何包含两种频率? 要求一个线圈中包含200kHz和2MHz频率的正弦波,二者幅值分别为3v和1v,最后线圈出来的正弦波信号是二者的相加。用啥方法?谢谢指点!用调幅电路?请问LC振荡电路,如何包含两种频率?既然要求是相加,两个信号直接叠加放大就行了。调幅的信号看起来似乎也是两个信号,但是实际上最后是无法通过滤波之类的线性手段将两个信号分离的。这时两个完全不同的概念,就看项目的要求了。用调幅电路,就不是两个不同频率信号相加了。那是不能满足你的要求的。如gmchen所说,直接叠加即可。输出波形实际上是2 hitmanman 【2024 DigiKey 创意大赛】开发板读取D6T传感器值、LVGL显示 为了把D6T传感器连接到开发板,先查看原理图,开发板有一些预留的IO接口,但是大多数都不能随意使用然后查看原理图可以知道IO47和IO48这两个引脚是作为了IIC使用,外接的是屏幕板的电容触摸芯片FT5406,在代码中也可以看到:然后查了查文档,FT5406的IIC七位地址是0x38,而D6T的IIC七位地址是0x0A,所以可以把这两个器件都接在IO47、IO48,然后把D6T模块接在开发板的IO47、IO48上面,代码如下```c/* pomin 网友正在看 DriverModule_01_02 多点电容触摸屏实验-电容触摸驱动测试 (5) - 复位和中断 Atmel picoPower实验室:睡眠模式 原理图设计提高(上) 电容概论 电路与电路模型 信号-信号集