本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 扩散掺杂-1恒定源继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 DIY:如何在树莓派上安装 Android 7.1 特斯拉Powerwall发布会:如何从根本上改变世界的运转方式 直播回放: 使用低成本 MSPM0 MCU 快速开发 CoreSight SoC-400工具介绍 基于 TI Sitara™AM5708 的工业派 [高精度实验室] 运算放大器 : 5 带宽 手把手教你学ESP32S3快速入门 MSP430 FR4X/2X系列培训 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 MSP430系列汇编指令集 这是MSP430系列汇编指令集的资料。http://download.eeworld.com.cn/detail/wcf830207/552159MSP430系列汇编指令集 快羊加鞭 过年小礼!两百个模电问题给你啦 1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点?答:频率特性好、体积小、功耗小,便于电路的集成化产品的袖珍化,此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出;但是在失真度和稳定性等方面不及真空器件。2、什么是本征半导体和杂质半导体?答:纯净的半导体就是本征半导体,在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。3、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?答:不是,但是在它的运动中可以将其等效为载流子。空穴导电时等电 qwqwqw2088 【LPC54100】+ 板子到手 爆套件照 套件今天到了,果断上图,明天要好好找资料了【LPC54100】+板子到手爆套件照号称双核的U的那个板子?lelee007发表于2015-2-1423:39号称双核的U的那个板子?对的,没错不错啊。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。要大家研究下了顶一下强仔!zhaojun_xf发表于2015-2-1509:16不错啊。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 强仔00001 哪位群友用过无线通信做过工业控制方面的,推荐一下 请教群友,目前可用于工业控制方面的无线通信有哪些?最远距离大概150米左右,站点大概10到100,本来打算用STM32的CAN来做,但是老板突然大脑发热要用无线,无奈本人小白,还没用无线做过东西,只自己弄过NRF2401,对其他的一无所知啊。还请各位来帮帮忙啊哪位群友用过无线通信做过工业控制方面的,推荐一下还是要根据实际需求来选择无线方案啊,不妨把需求说得再详细一点我自己做过si4432芯片和zigbee(ember方案)的无线产品,不是组网要求的就不推荐zigbee了sint27 李俊锋 【Atmel SAM R21创意大赛周计划】+RPL Simple-WebServer 恩,前面的帖子基本上已经跑起来基本的网络了,现在应该可以做一些应用了。搞点直观的东西吧,webserver不得不说还是比较基础的,那就弄一下了。参考开源的httpd-simple.c文件一些版权信息如下 /** *\\file *Asimplewebserverforwardingpagegenerationtoaprotothread *\\author *AdamDunkels *NiclasFinne lyzhangxiang 5438的最小系统版, 大家帮忙看看 5438A的最小系统版,大家帮忙看看,挑挑毛病,改进一下.谢谢12V供电传感器5V不对呀!传完发现电容怎么都变成100pF了5438的最小系统版,大家帮忙看看U5开关管建议后面的电感用100uH的电感,你可以通过计算来得出你需要的感值。另外1117-3.3V后面可以加104和106的贴片电容其它就没有什么。ai.en发表于2015-1-2917:14U5开关管建议后面的电感用100uH的电感,你可以通过计算来得出已修改, wenzheng 网友正在看 差分串联电压开关逻辑 认识数码管,共阳极与共阴极数码管判别 图像的空间域锐化 UCOSII在STM32F103上的移植 进阶基因演算法 5. 适应函数标准差縮放 导线及NetLabel的添加 循序邏輯電路實作(I)_正反器實現 项目演示及整体思路介绍