本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 硅热氧化-1工艺继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 TI Design 车用升压 LED 解决方案 - 高效率与输出开路保护 2016 TI 工业研讨会:让工业4.0成为现实——TI无线连接技术解析 CES 2015: Atmel参与丶见闻丶互联 直播回放: 使用低成本 MSPM0 MCU 快速开发 基于Ispice与Hspice的SPICE教学视频(元智大学) 9美元的电脑 CapTIvate<sup>TM </sup>技术软件设计快速指南 丛林行走机器人-超强适应障碍能力 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 RS-485接口保护电路综合版本,比较专业 ----处理闪电和ESD感应情况的最好方法是从敏感元件上将瞬态电压转移走。一般由一个并联连接的保护器件完成。发生瞬态事件时,瞬态电流通过瞬态抑制器分流,使被保护电路上的电压降低。RS-485接口保护电路综合版本,比较专业不错,学习下很好,很不错这个应该算广告吧。。。。。非常感谢是广告吗,下来看看,鉴定一下,呵呵学习学习 cobble1 SPI时钟控制问题 最近要做一款芯片ADS8320,需要用到SPI,这个芯片与STM32只有三个脚连接,分别是CLKMISOCS没有MOSI脚,它的工作需要主机的时钟来控制,但是SPI只有发送数据才有时钟,我就搞不懂了,怎么不发数据让他工作呢,我都搞了一个星期了还没搞出来,我急了,特来求助,SPI时钟控制问题读一个24位的数据取中间字节,CS用软件控制的方式。楼主好好理解一下这句话:AfallingCSsignalinitiatestheconversionanddatatra 肌肉熊 HDTV 接收机应用中高速 PCB 的成功设计 作者:Kugelstadt,德州仪器(TI)高级系统工程师www.ti.com.cn引言针对使用HDMI多路复用中继器的用户,本文提供了如何通过精心设计印刷电路板(PCB)来实现器件全部性能最优化的设计指导。我们将对高速PCB设计的一些主要方面的重要概念进行解释,并给出一些建议。本文涵盖了层堆栈、差动线迹、受控阻抗传输线、非连续性、布线指南、参考平面、过孔以及去耦电容器等内容。层堆栈HDMI多路复用中继器的外引脚是专门针对HDTV接收机电路中的设 莫妮卡 【我的 Nucleo 】看看所带的LCD Nucleo的运算速度慢,储存空间小,按说,不应该带TFTLCD的。但本设计使用它带的TFTLCD为240X400,并且带触摸屏,使用TSC2046。当然,不能用它显示真彩照片之类的东西,只想用它显示图标,以节约存储空间。并显示字符及部分汉字。现在把显示这一部分做好了,因为在调试阶段,没有把LCD调得太亮,不能在室外太阳光下照。【我的Nucleo】看看所带的LCD dontium 关于JTAG加密 有谁做过Cortex-M4的JTAG加密这一块没,求技术指导,谢谢了关于JTAG加密JTAG也能加密啊,这个还真不了解坐等高手解答哦,说错了,是禁止JTAG在论坛里搜一下,里边有这方面的资料。查看M3的处理方法,是一样的!只要配置下JTAG就可以了,但要注意,JTAG的恢复,否则程序就不能重新写入了! 毛屋堂 LabVIEW一个问题觉得奇怪 这个串口的,输入正常,接收正常,但是不会显示,而且通信正常时候是显示不正常。。。LabVIEW一个问题觉得奇怪没看懂就是说我本来判断接收到的数据和发送数据是不是一致,如果为真就显示通信正常,但是这样做不成功,我把那个等于改为不等于就显示通信正常了,还有接收的都不会再这里显示贴全点看看这是完整的,求解答 张氏拉都 网友正在看 模拟电子技术基础28 STM32虚拟蜡烛效果 3D 图形 - 3D Graphics orcad中原理图的设计纸张大小应该怎么去设置 管理Linux文件2 TI 毫米波雷达技术 - AWR1xxx 汽车雷达应用 PCB拼板认识-V-cut与邮票孔 信息与媒体