本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 硅热氧化-1工艺继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 强化学习基础 张志华 数据采集技术第二讲:配置管理软件MAX 遗传算法与应用 Qt SDK介绍 直播回放: 计算机影像处理应用于智能驾驶的未来及挑战 Atmel|SMART 基于Cortex核的MPU(二) MSP430 LaunchPad 入门 ARM Computex 2015 热门下载 [资料]-JIS B4313-2002 High-speed steel two-flute twist drills-Technical specifications.pdf [资料]-JIS B3512-2007 可编程序控制器.现场网络标准的试验和检定(1级)(修改件1).pdf [资料]-JIS B6203-1998 升降台式卧铣床 准确度的测试1.pdf [资料]-JIS F8521-2012.pdf [资料]-JIS F8522-2012.pdf [资料]-JIS D4311-1995 汽车用离合器衬片.pdf [-]-jis a1204-2009 土壤粒度分布的试验方法.pdf [资料]-JIS S2006-1994 Vacuum bottles.pdf [资料]-JIS D3636-2003 道路车辆.柴油机燃料喷射泵试验.枢轴型校准喷嘴.pdf [资料]-JIS C8152-1-2012 照明用白色発光ダイオード(LED)の測光方法-第1部:LEDパ.pdf 热门帖子 有朋友使用STR7的低功耗模式吗? 本人在使用STR7的STOP模式时,实际测量在STOP模式下电流消耗为3mA,有没有朋友使用低功耗模式达到了DataSheet上标称的10uA(50uAMax)请多赐教,也请各位分销和代理商、ST的技术工程师提供确确资料,谢谢有朋友使用STR7的低功耗模式吗?你是如何测量的?测的是供电端还是STR7的电源脚?电路中的上拉下拉电阻如何处理的?STR7在STOP模式时,所有的I/O口如何处理的?能把你的电路图发上来吗?首先,我们把板子上除CPU及晶体、复位等必须的电路保留,其他 michael_tju 待机状态手机识别 - 寻求项目合作 1.射频非接触识别2.便携式操作3.识别距离1m~5m可调4.手机处于通话工作/接收待机状态均可准确识别5.适用于禁止携带或使用手机的各种场所6.已完成样机原理测试待机状态手机识别-寻求项目合作 yyuanhk 哪位大虾有伟福教程??? 我现在用伟福来学习单片机,但在网上很难找到伟福的教程,不知道哪位大虾有伟福的教程,发给我看看,感激不尽~~~~哪位大虾有伟福教程???http://www.wave-cn.com到他的官网看看啦,一般都有的^_^Re:哪位大虾有伟福教程???有啊,我这有说明书,要不要扫描了给你Re:哪位大虾有伟福教程??? hartleyv WINCE 中循环问题 请问大哥!1,怎样在WINCE中写一段能被系统不断循环执行的程序(例如,按键扫描),2,TIMER中断时间误差很大,请问有办法解决吗WINCE中循环问题1.好像是驱动的问题,应用层实现不太现实2.楼主这个结论是如何得出来的,CE号称可以精确到1ms的 jiangaayjake 请大家推荐一充电芯片。 请大家推荐一充电芯片。我觉得你可以使用单片机自己做一个这样的电路:使用自带ad的单片机,功耗低测量精度还可以你要求的功能通过程序简单编写一下都可以实现Re:请大家推荐一充电芯片。 youhan001 急!!!请教大家一个模拟器连接设置的问题 我安装了EVC4和补丁EVC4SP4,再安装了一个自己的模拟器。但是在连接的时候,EVC老连接不上模拟器,但是EVC自带的标准模拟器又可以连接上。请问大家知道是什么原因吗?我设置和重装了很多次,都不行。谢谢大家了!一定会及时结帖给分!急!!!请教大家一个模拟器连接设置的问题为什么我问的问题老没有人回答呢!失望。。。。。。。。。。。这里回答问题的人少,我用的是VS2005哎,重装了系统问题都还是没有解决!郁闷中啊。。。。。。楼主你自己模拟器SDK没什么问题吧?先装上PocketpcS wm109947 网友正在看 反馈型LC振荡器线路1 ESP32 第3章 例3-1 用手機的藍牙控制ESP32-Serial Bluetooth Terminal 通过FPD-Link实现J6与车载显示器之间稳健接口的设计考虑[第2部分] 实验视频 7.2 - 运行解决方案代码 - 设计更好的 FSM Logical Operations on Images ARM Cortex-M3基础培训(5):时钟 三菱FX系列PLC教程 4 —— 可编程控制器的特点 信号检测的基本概念