本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 扩散条件与方法-2扩散工艺继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 Arduino雷达项目 直播回放: 安全系列19 - 符合无线电充电联盟WPC的无线充电身份验证 用树莓派和Python开发机器人教程 Microchip USB3.0集线器系列 机器学习基石 Input filter effect on a power supply MPLAB代码配置器实验4 【虚拟仪器大赛】基于NI-MyRIO的智能跟踪机器人 热门下载 基于智能小区安防系统的人脸识别.pdf 基于WinCE_5.0的电脑绣花机花样管理系统的研究 直流开关电源的软开关技术 转向/刮水/后雾灯控制用组合继电器的设计 md5加密解密算法;里面自带pb例程;希望对大家有用 80C196单片机控制闭环逆变系统的研究 航空图像压缩系统的DSP设计及实现 校园信息发布系统 SIM800 TCPIP应用文档 介绍AVR单片机多定时器中寄存器和及简单使用 热门帖子 视频监控系统遭受雷击损害的主要原因 Ⅰ.直击雷:雷电直接击在露天的摄像机上造成设备损坏或雷电直接击在架空线缆上造成线缆损毁。这种雷击方式造成的破坏最严重,但出现机率比较小。Ⅱ.感应雷:又称二次雷,它分为电磁感应和静电感应。当附近区域有雷击闪落时,在雷击落实通道周围会产生强大的瞬变电磁场。处在电磁场中的监控设备和传输线路会感应出较大的电动势,这种现象叫电磁感应;当有带电的雷云出现时,在雷云下面的建筑物和传输线路上会感应出与雷云相反的电荷,这种现象叫静电感应。感应雷造成的设备损坏没有直击雷造成的破坏大,但出现的机率十分高,约占现 xyh_521 MSP43F149系列单片机的IAP功能设计 TI公司的MSP430系列单片机是具有很高实用性价值的产品,在许多领域得到广泛的应用,特别是它的超级低功耗特性,是目前所有其他单片机无法比拟的。IAP(InApplicationProgramming)是用户自己的程序在运行过程中对用户Flash的部分区域进行烧写,目的是为了在产品发布后可以方便地通过预留的通信口对产品中的固件程序进行更新升级。 要实现IAP功能,通常需要在设计固件程序时编写两个项目代码:第一个项目程序不执行正常的功能操作,而只是通过某种通信管道(如USB、USAR Jacktang LPC210x ARM微控制器与以太网控制芯片连接电路图 电路图LPC210xARM微控制器与以太网控制芯片连接电路图hehedingRe:LPC210xARM微控制器与以太网控制芯片连接电路图xuexiyixialRe:LPC210xARM微控制器与以太网控制芯片连接电路图总结的内容不错,贵在资料重在总结!Re:LPC210xARM微控制器与以太网控制芯片连接电路图谢谢~ maker 电源的完整性分析,做电源的必看哦 电源的完整性分析,看看很好的哟电源的完整性分析,做电源的必看哦谢谢楼主的分享这也要1枚币,为啥不是免费呢????发烧友论坛弄过来的,还要芯币啊 cl1024 BP9116A/BP9116B宽输入电压晶丰3-5W功率 BP9116A/B概述/特点QQ2892715427BP9116A/B是一款高精度原边反馈的LED恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流断续模式。BP9116A/B适用于85Vac~265Vac全范围输入电压、功率3W/5W以下的反激型隔离LED恒流电源。BP9116A/B特点1.内部集成650V功率管2.集成高压供电功能3.原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路4.无需辅助绕组检测和供电5.宽输 aalele 51开发板典藏版和俗人斗气儿说51 这是我自己设计的51单片机学习开发板,可以供初中级单片机爱好者学习和实验.包含了几乎所有的基本实验和常见的外围器件.有以下器件:1.双核CPU,AT89C52和AT89C40512.16X2液晶显示器3.数码管和发光二极管4.ADC08045.DAC08086.DS18B207.串口驱动8.24C02I2CEEPROM9.马达驱动10.蜂鸣器11.继电器电路12.555电路生成多谐振荡13.中断电路14.译码电路15.4X4键盘 liujianru 网友正在看 Introduction to Analog Design (6_6) 神经信息处理技术(二十) 摄像头数据流DVP接口协议 第十四章 第2讲 图像处理在医学中的应用 内容简介 通过菜单执行Skill命令及快捷键设置 我的第一个Linux驱动-完善chrdevbase驱动 basic cmos device physics(6)