本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 影响杂质分布因素-1点缺陷继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 Microchip时钟与时序应用解决方案 更安全高效使用锂离子电池 - 电池管理系统 (BMS) 方案 紧急电话与仪表盘音频 Atmel AVR 技术的历史 (中字) Xilinx UltraScale入门教程 粒子群优化算法 600 V MDmesh II Plus低 Qg MOSFET 系列 Peter Diamandis:创新是如何产生的 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 [SAM R21]SAM R21 Xplained硬件分析(四) 其它前面分析了主要的硬件模块,我们在分析剩下的一些地方。按键和LEDSAMR21Xplained开发板带有一个用户按键和一个用户LED。PA19通过R303连到LED,再通过R303这个330欧电阻连接到Vcc;PA28通过R306和R302连接按键。R301和R306有什么作用呢?因为PA19和PA28也连接到扩展口EXT1,在需要时可以断开R301和R306,防止LED和按键对EXT1尝试冲突。R302这个39欧电阻起到什么作用?为什么在按键上要串这个电阻。还是因 dcexpert 半桥这类正激变换器输出可否用CLC滤波? 半桥这类正激变换器输出可否用CLC滤波?\0\0\0eeworldpostqq半桥这类正激变换器输出可否用CLC滤波?为半桥供电的直流电源近似恒压源,不能用C开始滤波。但若为半桥供电的直流电源近似恒流源,则必须用C开始滤波。这里所谓“开始”,指滤波所接的第一个元件。 xiefei 关于28346的I2C Boot问题 小弟是使用TI原廠的DelfinoC28346DIM168Experimenter\'sKit帶有XDS100仿真器,並按照下列步驟進行I2CBoot(不過網路上相關資料實在太少了)1.利用C:\\CCStudio_v3.3\\C2000\\cgtools\\bin目錄下的hex2000.exe將*.out檔轉成*.a00檔用以下指令hex2000project.out-boot-oproject.a00-i2c8-i2cpsc29-i2cclkh 飓风 金刚狼套件即将发布 就是这个家伙,这是金刚狼刚出现的时候的样子。我猜测应该还是会保持和launchpad系列兼容的模式露面。估计会同步的发布墨水屏,然后把功耗给show出来。下面是即将发布的消息出处。金刚狼套件即将发布若是再不出来,我都快把它忘记了。确实是姗姗来迟,现在的低功耗竞争太激烈了!那个是超级电容还是纽扣电池?有团购不?墨水屏感兴趣看起来好高端啊继续期待~~~~~~~~金刚狼哎,希望能快点出支持一下!!!zca123发表于2014-2-1209:23那个 wstt 求大神指导,中断每次接收的数组不同,main函数要比较,用矩阵存储,还是类? 求大神指导:STM32里,每次中断都会收到一个数组,在main函数里要判断,每次中断接受的数组与之前一次的不同。很困扰,该用什么形式存储这些不同的数组?用矩阵,还是用将中断里接受的数据定义为一个类?哪一种方式比较好?另,不太会用类,是否可以据个例子。谢谢!求大神指导,中断每次接收的数组不同,main函数要比较,用矩阵存储,还是类?中断里面的变量,一般声明为volatile类型。 墨染卿卿 STM8程序烧录 ST-LINK/V2一直在闪,但是最后提示出错,程序烧不进去。STM8程序烧录闪表示有数据传输。确认下编译环境有没有设置好。再确认下硬件上连的对不对。硬件上分别连接,VCC,SWIM,GND,REST,没问题。编译环境需要检查哪些呢?会出现:can\'tloadsymboltablefailedtochangedirectory.检查是不是烧录保护相关设置应该是闪绿色的才地,如果不行就再装驱动试下 czx2014 网友正在看 交叉验证法 架设FTP服务器 典型电路设计1 大功率器件SiC混合模块 手把手教你学51单片机与Proteus第十八讲遥控器实验下 数模混合信号电路设计 2.高压降压调节器 高频电路新技术(二)