本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 猜你喜欢 编程方法 基于飞思卡尔i.MX6处理器的智能硬件与QQ IoT连接 嵌入式Linux性能监控和调优 [高精度实验室] 接口 : (5) I2C 总线 超大规模集成电路基础 电流感应放大器详解 直播回放: 艾迈斯欧司朗智慧农业与植物照明 谷歌无人驾驶自行车 热门下载 电源入门小知识 微机原理与接口技术课程设计题目详细要求 一种模拟电路故障诊断方法 物联网汇总 Telit-GSM-GPRS-CDMA-WCDMA-Modu 华为硬件工程师手册 MFRC522中文手册 实用电子元器件与电路基础 (施瓦茨) 10个常见的镜头术语 ANTENNA NEAR FIELD 热门帖子 处理项目剩余-约25片 7寸RGB屏 800*480分辨率 最近又要搬家,一大堆东西,该卖卖,该送送,先收拾掉这点7寸屏,处理项目剩余-约25片7寸RGB屏800*480分辨率,全新的,搀杂的有几片拆机的,拆机的几片保护膜都在,跟新的没啥区别,全部包好,35一片,打包850包邮,单卖就是35的零售价,邮费10元。不议价,保证每票都有东西送,因为杂物实在太多,边收拾边打包东西,逮啥送啥。发货:付款后1-2天内发货。物流:中通付款:支付宝付款,或淘宝链接,去我店里随便拍够金额就行。支付宝账号:13410778602杨转款请PM我 ylyfxzsx 红外遥控程序读码不准,请各位师兄妹分析一下问题在那里。 红外遥控程序读码不准,请各位师兄妹分析一下问题在那里。#includeiom8v.h#includemacros.h#definefosc8000000//晶振8MHZ#definebaud9600//波特率定义#defineucharunsignedchar#defineuintunsignedintucharbitcnt;uintdata0,data1,temp;ui pyq208 出售-ATMEL STK600 开发套件-全新未开封 600(出售中。。。) 出售-ATMELSTK600开发套件-全新未开封600(出售中。。。),不包邮,有谁收了吧出售-ATMELSTK600开发套件-全新未开封600(出售中。。。)我只能呵呵了,帮顶本站强荐:185娱乐┃城.足球┃真_人.彩票齐全┃手机可投┃注任何游戏.首次开户送10元.首存送58元.信誉绝对保证185.cc我也呵呵啦本站强荐:185娱乐Щ城.足球Щ真_人.彩票齐全Щ手机可投Щ注任何游戏.首次开户送10元.首存送58元.信誉绝对保证185.cc kejoy [公司介绍]silicon image 这是一家美国的半导体设计公司siliconimageSiliconImage(矽映电子科技)是一个上市的美国的大型半导体设计公司。该公司制造了各种常用的在现代计算机和消费电子装置中使用的集成电路,但是业务集中在存储,分配和介绍高清的消费类电子产品如:个人电脑和移动设备市场。该公司成立于1995年,是上市公司,在纳斯达克市场的标志是SIMG。本帖最后由Sur于2014-11-1822:52编辑 公司的发展历程:2009年9月:SiliconImage公司加入移动高 Sur TVS瞬态电压抑制二极管 瞬态电压抑制二极管(TVS)又叫钳位型二极管,是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件,它的外型与普通二极管相同,但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率,它的主要特点是在反向应用条件下,当承受一个高能量的大脉冲时,其工作阻抗立即降至极低的导通值,从而允许大电流通过,同时把电压钳制在预定水平,其响应时间仅为10-12毫秒,因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。TVS允许的正向浪涌电流在TA=250C,T=10ms条件下,可达50~200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把 qwqwqw2088 【我的blueNRG】1 初步体验 双11除了让人剁手,还能让人跺脚。11号发出的,今天才拿到,整整9天。另外,这个网络图片就是能忽悠人,看着挺大,结果到手一看,好迷你啊,就是半个鼠标那么大嘛。整块板子也很简单,从BOM看,就是两个芯片:blueNRG和eeprom。这个eeprom是st自家的M95640,64Kbit,哈哈,还是蛮大方的呢。SPI接口,和blueNRG保持一致。95640分了很多后缀,此款R,工作电压1.8-5.5V,还有更低到1.7V的DF,不知道为啥不用?简单介绍下性能:总容量:8K字节页面大小 johnrey 网友正在看 如何在Allegro软件中设置限高区域呢? 24-03 加减运算 星罗密布-合理布局您的界面 2 点九(九宫格)切图 第五章 循环控制结构程序07 While循环(下) 数据报网络 数字IC后端设计技术全局观(实践2)