本课程为精品课,您可以登录eeworld继续观看: 多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法继续观看 课时1:绪论:微电子工艺是讲什么的? 课时2:微电子工艺的发展历程如何? 课时3:微电子工艺有什么特点? 课时4:单晶硅特性(上) 课时5:单晶硅特性(中) 课时6:单晶硅特性(下) 课时7:多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法 课时8:单晶生长-原理 课时9:单晶生长-掺杂 课时10:单晶生长-MCZ与FZ法 课时11:硅片的加工 课时12:硅片介绍 课时13:外延概述 课时14:气相外延-1硅工艺 课时15:气相外延-2原理 课时16:气相外延-3速率 课时17:气相外延-4掺杂 课时18:气相外延-5设备与技术 课时19:分子束外延 课时20:其它外延方法 课时21:外延层缺陷及检测 课时22:电阻率测量 课时23:概述-1性质与用途 课时24:概述-2杂质与掩蔽 课时25:硅热氧化-1工艺 课时26:硅的热氧化-2机理 课时27:硅的热氧化-3DG模型 课时28:硅的热氧化-4速率 课时29:硅热氧化-5影响因素 课时30:初始氧化 课时31:杂质再分布-1分凝 课时32:杂质再分布-2硅表面浓度 课时33:氧化层检测-1厚度 课时34:氧化层检测-2成膜质量 课时35:氧化层厚度估测实验 课时36:其它氧化方法 课时37:扩散机构 课时38:扩散方程-1菲克定律 课时39:扩散方程-2扩散系数 课时40:扩散掺杂-1恒定源 课时41:扩散掺杂-2限定源 课时42:影响杂质分布因素-1点缺陷 课时43:影响杂质分布因素-2氧化增强 课时44:影响杂质分布因素-3发射区推进 课时45:扩散条件与方法-1方法选择 课时46:扩散条件与方法-2扩散工艺 课时47:质检与测量-1结深 课时48:质检与测量-2表面浓度 课时49:pn结结深测量实验 课时50:扩散工艺的发展 课时51:离子注入概述 课时52:离子注入原理-1 课时53:离子注入原理-2 课时54:离子注入原理-3 课时55:注入离子分布-1,2分布 课时56:注入离子分布-3沟道效应 课时57:注入离子分布-4其它影响 课时58:注入损伤-1 课时59:注入损伤-2 课时60:退火-1热退火 课时61:退火-2快速退火 课时62:设备与工艺 课时63:应用 课时64:掺杂新技术 课时65:CVD概述 课时66:CVD原理-1过程 课时67:CVD原理-2速率 课时68:CVD原理-3质量 课时69:CVD工艺方法-1AP-2LP 课时70:CVD工艺方法-3等离子体(上) 课时71:CVD工艺方法-3等离子体(下) 课时72:CVD工艺方法-4PE-5HDP(新) 课时73:二氧化硅薄膜-1性质 课时74:二氧化硅薄膜-2制备 课时75:氮化硅薄膜 课时76:多晶硅薄膜 课时77:CVD金属及金属化合物薄膜 课时78:PVD-1概述 课时79:PVD-1真空简介 课时80:PVD-2真空的获得 课时81:蒸镀-1原理 课时82:蒸镀-2设备、工艺 课时83:蒸镀-3质量 课时84:溅射-1原理 课时85:溅射-2方法 课时86:溅射-3质量 课时87:PVD金属及化合物薄膜 课时88:光刻02--光刻技术 课时89:光刻掩膜板制造技术 课时90:光刻--光刻胶 课时91:光刻--紫外曝光技术 课时92:光刻--光刻增强技术 课时93:其它曝光技术 课时94:其它曝光技术(2) 课时95:光刻新技术展望 课时96:光刻引言 课时97:光刻工艺 课时98:光刻分辨率 课时99:光刻分辨率--2 课时100:刻蚀技术--概述 课时101:湿法刻蚀技术 课时102:刻蚀技术--干法刻蚀技术 课时103:刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 课时104:刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 课时105:工艺集成--金属化与多层互连 课时106:工艺集成--金属化之尖楔现象 课时107:工艺集成--集成电路中的隔离技术 课时108:CMOS集成电路的工艺集成 课时109:双极型集成电路的工艺集成 课时110:结束语我的中国芯 课程介绍共计110课时,11小时37分37秒 微电子工艺(哈尔滨工业大学) 本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。 本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述,并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。 使学习者掌握微电子关键工艺的基本原理、方法、用途;熟悉主要工艺设备及检测仪器;了解典型集成电路芯片的制造流程。 上传者:老白菜 正在载入数据,请稍等... 猜你喜欢 802.15.4无线互联协议栈介绍 氮化镓功率器件TI-GaN在900V千瓦级多电平系统中的应用 TI 电机控制系统软硬件架构简介 深度学习简介 飞行摩托Hoverbike 基于PIC32的VGA.WVGA图形开发工具 Silicon Labs Lua脚本语言在大批量自动测试中的应用 如何采用48V POL半桥GAN 控制器进行设计 热门下载 一种零NRE的可编程ASIC eASIC 基于m序列的音频水印隐藏算法 离子交换除盐水处理器的失效控制 苹果iPod Touch和iPhone拆机对比评测 射频基础知识 生产方案及MT8820A STK086G.pdf 基于FPGA的多功能频率计的设计 208PBGA Schematic Capture with Cadence PSpice .pdf 热门帖子 NXP LPC1768宝马开发板 第十九章 宝马1768——CAN总线 第十九章宝马1768——CAN总线开发环境:集成开发环境μVision4IDE版本4.60.0.0主机系统:MicrosoftWindowsXP开发平台:旺宝NXPLPC1768开发板19.1CAN总线简介19.2LPC1768CAN总线控制器介绍 旺宝电子 【LPC54100】+ LED走起 今天点了个灯,看了原理图知道这个板子引出3个IO口开控制套件上的3色贴片的led。如下图:从原理可以看出这个3色led是共阳的,也就是说,我把相应的IO置低就可以控制某个led亮或者组合成其他颜色。我现在就用就用Keil5来点亮板子上的LED,keil5相比其他的版本变了不少,关于keil的这方面我就不多说了。现在直入主题,要点亮板子上的led。我这里修改了keil5的自带的例程,keil5自带的LED 强仔00001 【MSP430共享】MSP5438无线语音开发板资料 这些资料足够大家做个无线对讲机了【MSP430共享】MSP5438无线语音开发板资料不错不错学习了支持hao支持GOOD支持!GOOD马克吐温,学习了不错不错学习了 fengzhang2002 电磁继电器电路接出MOS管后部分 电磁继电器电路接出MOS管后部分,为何右侧要接两个24V电源,而且反接二极管。C:\\Users\\liangyu\\Desktop\\模块.JPG电磁继电器电路接出MOS管后部分电磁阀等含有线圈的设备,开关的时候线圈会产生反向感生电压,电磁阀电源被断开时,线圈自感产生的反向电压正好与并联的快恢复二极管D13方向相同,因此被该二极管短路,从而防止了该反向的感应电压对控制电路的影响。在某些高速场合,加这个二极管,会导致电磁阀释放速度慢的情况。fr307属于快恢复二极管,正向压降0.8-1 fenglanzimo2014 Possible IDATA stack overflow detected为什么? 自己做的ZIGBEE(cc2530)板子,程序下载好之后,调试会出现如下错误:SunJan2522:34:322015:Warning:PossibleIDATAstackoverflowdetected.Resettargettore-enableoverflowcheckSunJan2522:34:322015:Warning:PossibleIDATAstackoverflowdetected.Resettargettore 342785896 【我与TI的结缘】+努力加奋斗 如果不是登陆的卡慢,也许与TI的缘分会更长久,接触TI产品以来,逐步的也是三部曲,入门,研究,学习,往往沉浸在忘我的境地,总希望可以得到更多的实验机会,总是每次大半结束的蹉跎,时间的损耗已经和TI密不可分了,这一切的缘分源于认识TI以来的快乐。初次能体验到的是TIAM335xCortex-A8开发板,这是基于AM3358处理器的开发套件,能够满足包括游戏外设、家庭和工业自动化、消费类医疗器械、打印机、智能收费系统、智能售货机称重系统、教育终端和高级玩具等在内的各个领域的不同需求。主要看 led2015 网友正在看 STM32Cube HAL theory GPIO - HAL system peripherals 基于Sobel算法的边缘检测设计与实现(三) AI 摄像头应用的开发 网孔电流法,节点电压法 SUPPLEMENTARY Electron beam lithography:proximity effect 轮转访问MAC协议 贝尔公司如何摆脱经营的困境 无源滤波器(下)