本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识，重点阐述了芯片制造单项工艺，包括：外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备，以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解，为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。

本课程特色在于对关键工艺所依托的理化基础知识进行了阐述，并通过实验视频对关键工艺参数测试技术也进行了介绍。

• 课时1：绪论：微电子工艺是讲什么的？ (5分0秒)
• 课时2：微电子工艺的发展历程如何？ (7分16秒)
• 课时3：微电子工艺有什么特点？ (5分37秒)
• 课时4：单晶硅特性（上） (8分55秒)
• 课时5：单晶硅特性（中） (6分20秒)
• 课时6：单晶硅特性（下） (7分48秒)
• 课时7：多晶硅制备；1.2单晶生长-CZ法 (6分57秒)
• 课时8：单晶生长-原理 (5分0秒)
• 课时9：单晶生长-掺杂 (9分30秒)
• 课时10：单晶生长-MCZ与FZ法 (6分35秒)
• 课时11：硅片的加工 (5分20秒)
• 课时12：硅片介绍 (1分45秒)
• 课时13：外延概述 (7分7秒)
• 课时14：气相外延-1硅工艺 (6分51秒)
• 课时15：气相外延-2原理 (6分20秒)
• 课时16：气相外延-3速率 (7分40秒)
• 课时17：气相外延-4掺杂 (7分26秒)
• 课时18：气相外延-5设备与技术 (6分39秒)
• 课时19：分子束外延 (5分41秒)
• 课时20：其它外延方法 (10分10秒)
• 课时21：外延层缺陷及检测 (7分43秒)
• 课时22：电阻率测量 (1分56秒)
• 课时23：概述-1性质与用途 (4分30秒)
• 课时24：概述-2杂质与掩蔽 (5分5秒)
• 课时25：硅热氧化-1工艺 (6分3秒)
• 课时26：硅的热氧化-2机理 (2分19秒)
• 课时27：硅的热氧化-3DG模型 (4分20秒)
• 课时28：硅的热氧化-4速率 (4分16秒)
• 课时29：硅热氧化-5影响因素 (5分32秒)
• 课时30：初始氧化 (2分58秒)
• 课时31：杂质再分布-1分凝 (4分47秒)
• 课时32：杂质再分布-2硅表面浓度 (3分0秒)
• 课时33：氧化层检测-1厚度 (4分2秒)
• 课时34：氧化层检测-2成膜质量 (5分8秒)
• 课时35：氧化层厚度估测实验 (3分10秒)
• 课时36：其它氧化方法 (3分23秒)
• 课时37：扩散机构 (5分56秒)
• 课时38：扩散方程-1菲克定律 (4分0秒)
• 课时39：扩散方程-2扩散系数 (4分43秒)
• 课时40：扩散掺杂-1恒定源 (3分53秒)
• 课时41：扩散掺杂-2限定源 (5分40秒)
• 课时42：影响杂质分布因素-1点缺陷 (3分47秒)
• 课时43：影响杂质分布因素-2氧化增强 (3分15秒)
• 课时44：影响杂质分布因素-3发射区推进 (3分47秒)
• 课时45：扩散条件与方法-1方法选择 (6分13秒)
• 课时46：扩散条件与方法-2扩散工艺 (5分56秒)
• 课时47：质检与测量-1结深 (3分48秒)
• 课时48：质检与测量-2表面浓度 (6分21秒)
• 课时49：pn结结深测量实验 (3分6秒)
• 课时50：扩散工艺的发展 (2分29秒)
• 课时51：离子注入概述 (3分21秒)
• 课时52：离子注入原理-1 (2分15秒)
• 课时53：离子注入原理-2 (5分35秒)
• 课时54：离子注入原理-3 (4分2秒)
• 课时55：注入离子分布-1,2分布 (5分34秒)
• 课时56：注入离子分布-3沟道效应 (6分15秒)
• 课时57：注入离子分布-4其它影响 (2分55秒)
• 课时58：注入损伤-1 (2分58秒)
• 课时59：注入损伤-2 (3分22秒)
• 课时60：退火-1热退火 (6分16秒)
• 课时61：退火-2快速退火 (5分10秒)
• 课时62：设备与工艺 (6分44秒)
• 课时63：应用 (5分41秒)
• 课时64：掺杂新技术 (5分27秒)
• 课时65：CVD概述 (4分50秒)
• 课时66：CVD原理-1过程 (4分4秒)
• 课时67：CVD原理-2速率 (8分25秒)
• 课时68：CVD原理-3质量 (8分30秒)
• 课时69：CVD工艺方法-1AP-2LP (5分46秒)
• 课时70：CVD工艺方法-3等离子体(上） (7分36秒)
• 课时71：CVD工艺方法-3等离子体(下） (3分38秒)
• 课时72：CVD工艺方法-4PE-5HDP（新） (12分54秒)
• 课时73：二氧化硅薄膜-1性质 (7分13秒)
• 课时74：二氧化硅薄膜-2制备 (4分6秒)
• 课时75：氮化硅薄膜 (8分20秒)
• 课时76：多晶硅薄膜 (7分8秒)
• 课时77：CVD金属及金属化合物薄膜 (8分10秒)
• 课时78：PVD-1概述 (3分55秒)
• 课时79：PVD-1真空简介 (3分6秒)
• 课时80：PVD-2真空的获得 (6分34秒)
• 课时81：蒸镀-1原理 (6分23秒)
• 课时82：蒸镀-2设备、工艺 (7分6秒)
• 课时83：蒸镀-3质量 (4分55秒)
• 课时84：溅射-1原理 (5分31秒)
• 课时85：溅射-2方法 (7分1秒)
• 课时86：溅射-3质量 (5分10秒)
• 课时87：PVD金属及化合物薄膜 (9分48秒)
• 课时88：光刻02--光刻技术 (15分34秒)
• 课时89：光刻掩膜板制造技术 (12分3秒)
• 课时90：光刻--光刻胶 (12分0秒)
• 课时91：光刻--紫外曝光技术 (7分41秒)
• 课时92：光刻--光刻增强技术 (12分58秒)
• 课时93：其它曝光技术 (4分12秒)
• 课时94：其它曝光技术(2) (8分44秒)
• 课时95：光刻新技术展望 (6分34秒)
• 课时96：光刻引言 (49秒)
• 课时97：光刻工艺 (4分21秒)
• 课时98：光刻分辨率 (3分28秒)
• 课时99：光刻分辨率--2 (4分8秒)
• 课时100：刻蚀技术--概述 (9分54秒)
• 课时101：湿法刻蚀技术 (17分42秒)
• 课时102：刻蚀技术--干法刻蚀技术 (12分36秒)
• 课时103：刻蚀技术--SiO2薄膜的干法刻蚀技术 (10分57秒)
• 课时104：刻蚀技术--多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 (9分24秒)
• 课时105：工艺集成--金属化与多层互连 (12分15秒)
• 课时106：工艺集成--金属化之尖楔现象 (11分52秒)
• 课时107：工艺集成--集成电路中的隔离技术 (16分33秒)
• 课时108：CMOS集成电路的工艺集成 (13分55秒)
• 课时109：双极型集成电路的工艺集成 (7分51秒)
• 课时110：结束语我的中国芯 (1分19秒)